下载一种氧化镓场效应晶体管日盲探测器及其制作工艺的技术资料

文档序号:20163023

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本发明的氧化镓场效应晶体管日盲探测器,包括衬底、栅电极、栅介质层、氧化镓沟道层、源电极和漏电极,特征在于:氧化镓沟道层采用100‑300 nm厚的N型掺杂氧化镓薄膜。本发明的日盲探测器的制作工艺,包括:a).将衬底依次用去离子水、丙酮、乙醇...
该专利属于山东大学所有,仅供学习研究参考,未经过山东大学授权不得商用。

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