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本发明提供一种槽底肖特基接触SiC MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、P‑body区、P+接触区、N+接触区、氧化层、栅极、肖特基接触电极、P‑shield区、源极、漏极，本发明可以提升SiC MOSFET第三象限性能，实现了低...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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