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本发明属于电子技术领域，公开了一种高速晶体管及其制造方法，高速晶体管包括衬底层；设置在衬底层上表面的沟道层；设置在沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1...
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