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一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法技术
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文档序号:20162995
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本发明提供了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法,所述绝缘栅双极晶体管包括:衬底;缓冲层,形成于所述衬底上;外延层,形成于所述缓冲层上;结型场效应结构JFET区,形成于所述外延层内,JFET区的宽度为2.5~12μm;CJI掺杂区,形成于所述J...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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