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本发明提供一种半导体结构及其形成方法、以及具有该半导体结构的半导体存储器件，该半导体结构包括：具有浅沟槽隔离结构的衬底，所述衬底表面具有多个沟槽；P型阱区，形成于所述衬底的底部；多个栅极组件，形成于所述多个沟槽内，每个栅极组件的一侧为源区，...
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