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本发明公开了一种避免芯片封装打线时导致金属介质层断裂的方法，包括：1)在金属层M1的介质层IMD1中制作通孔Via1和伪通孔Via1’；2)在介质层IMD1上沉积金属层M，接着在金属层M的介质层IMD2中制作通孔Via2和伪通孔Via2’；...
该专利属于安徽信息工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过安徽信息工程学院授权不得商用。

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