温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种稳压LED芯片,包括衬底,设于衬底上的第一半导体层,设于第一半导体层上的有源层和第一电极,设于有源层上的第二半导体层,设于第二半导体层上的电流阻挡层,设于电流阻挡层和第二半导体层上的透明导电层,设于透明导电层上的Al层,...该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种稳压LED芯片,包括衬底,设于衬底上的第一半导体层,设于第一半导体层上的有源层和第一电极,设于有源层上的第二半导体层,设于第二半导体层上的电流阻挡层,设于电流阻挡层和第二半导体层上的透明导电层,设于透明导电层上的Al层,...