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本发明涉及半导体加工技术领域。一种改善硅片边缘翘曲的切割方法，在切割深度为0mm‑8mm位置处，且砂浆的流量为68L/min‑70L/min；在切割深度为8mm‑18mm位置处时，砂浆的流量呈线性递减，且砂浆的流量为(2*切割深度值+52)...该专利属于上海申和热磁电子有限公司;杭州中芯晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海申和热磁电子有限公司;杭州中芯晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。