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本发明公开了一种钙铝石型半导体材料的制备方法。该方法首先将苯系物A和钙铝石材料C12A7共同置于试管中并密封。然后，将试管置于高温炉中并升温至200～300℃，保温0.5～2小时使A挥发形成气氛。接下来，提高试管加热温度至900～1300℃...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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