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本发明涉及制造和纯化碳纳米管的方法。在一方面，本文描述了制造半导体单壁碳纳米管的方法。在一些实施中，制造半导体单壁碳纳米管的方法包括提供包含(n,m)纳米管晶种和非(n,m)纳米管晶种的多种半导体纳米管晶种。该方法进一步包括利用具有第一波长...
该专利属于波音公司所有，仅供学习研究参考，未经过波音公司授权不得商用。

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