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制造和纯化碳纳米管的方法技术

技术编号:20124892 阅读:42 留言:0更新日期:2019-01-16 13:29
本发明专利技术涉及制造和纯化碳纳米管的方法。在一方面,本文描述了制造半导体单壁碳纳米管的方法。在一些实施中,制造半导体单壁碳纳米管的方法包括提供包含(n,m)纳米管晶种和非(n,m)纳米管晶种的多种半导体纳米管晶种。该方法进一步包括利用具有第一波长的第一激光束和具有第二波长的第二激光束照射多种纳米管晶种,第二波长与第一波长不同。第一波长对应于(n,m)碳纳米管的最大吸收,并且第二波长对应于(n,m)碳纳米管的光致发光发射频率。

METHODS FOR MANUFACTURING AND PURIFICATION OF CARBON NANOTUBES

The invention relates to a method for manufacturing and purifying carbon nanotubes. On the one hand, this paper describes the method of manufacturing semiconductor single-walled carbon nanotubes. In some implementations, methods for manufacturing semiconductor single-walled carbon nanotubes include providing a variety of semiconductor nanotube seeds including (n, m) nanotube seeds and non (n, m) nanotube seeds. The method further includes irradiating a variety of nanotube seeds with the first laser beam with the first wavelength and the second laser beam with the second wavelength. The second wavelength is different from the first wavelength. The first wavelength corresponds to the maximum absorption of (n, m) carbon nanotubes, and the second wavelength corresponds to the photoluminescence emission frequency of (n, m) carbon nanotubes.

【技术实现步骤摘要】
制造和纯化碳纳米管的方法本申请是申请日为2016年1月22日、申请号为201610041198.7、题为“制造和纯化碳纳米管的方法”的专利申请的分案申请。
本公开内容涉及制造和/或纯化碳纳米管的方法,具体而言,涉及半导体单壁碳纳米管(SWCNT)比如光致发光单壁碳纳米管的选择性生长和/或降解,以提供碳纳米管富集和/或耗尽(deplete)的纳米管的大块样品(bulksample)或群体(population),所述碳纳米管具有一种或多种预定或预选手性。
技术介绍
单壁碳纳米管的性质强烈地取决于其几何结构。该结构通常由识别和计算手性指数(n,m)表征。整数n和m表示沿着石墨烯的蜂窝状晶格中的两个方向的单位向量的数目。这些指数可用于确定纳米管的重要参数,比如纳米管是否是金属的(n=m)、半金属的(n–m是3的倍数)、或半导体的(n–m的其它值)。具有m=0的值的纳米管通常被称为锯齿型纳米管,并且具有n=m的值的纳米管通常被称为扶手椅型纳米管。具有与锯齿型和扶手椅型纳米管不同的n和/或m的值的纳米管通常被称为手性纳米管。多种生长技术已经被发展为制造单壁碳纳米管。每种技术通常产生具有(n,m本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.纯化碳纳米管群体的方法,包括:利用具有第一波长的第一激光束和具有第二波长的第二激光束照射包含半导体(n,m)碳纳米管和非(n,m)碳纳米管的碳纳米管群体,所述第二波长与所述第一波长不同;和选择性地加热所述(n,m)碳纳米管进入碳纳米管降解期,其中所述第一波长对应于所述(n,m)碳纳米管的最大吸收;其中所述第二波长对应于所述(n,m)碳纳米管的光致发光发射频率;并且其中所述非(n,m)碳纳米管不被加热进入所述碳纳米管降解期,而是占据碳纳米管生长期。

【技术特征摘要】
2015.02.02 US 14/611,7341.纯化碳纳米管群体的方法,包括:利用具有第一波长的第一激光束和具有第二波长的第二激光束照射包含半导体(n,m)碳纳米管和非(n,m)碳纳米管的碳纳米管群体,所述第二波长与所述第一波长不同;和选择性地加热所述(n,m)碳纳米管进入碳纳米管降解期,其中所述第一波长对应于所述(n,m)碳纳米管的最大吸收;其中所述第二波长对应于所述(n,m)碳纳米管的光致发光发射频率;并且其中所述非(n,m)碳...

【专利技术属性】
技术研发人员:K·D·洪菲尔德
申请(专利权)人:波音公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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