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本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含使氧化膜的蚀刻率最小化并可选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包括利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制...
该专利属于OCI有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过OCI有限公司授权不得商用。

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