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半导体装置(100)具有衬底(102)，所述衬底(102)具有半导体材料(104)。所述半导体装置(100)在所述半导体材料(104)中及在所述半导体材料上包含场效应晶体管(106)。所述场效应晶体管(106)具有位于所述半导体装置(100...
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