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一种半导体激光器制造技术
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文档序号:20116276
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本发明涉及一种半导体激光器,包括隔振平台和半导体激光器本体,所述隔振平台包括气垫式隔振平台、磁铁板块,所述磁铁板块设有两块,分别为第一磁铁板块和第二磁铁板块,所述第一磁铁板块的极性、形状和大小与所述第二磁铁板块的极性、形状和大小分别相同,所...
该专利属于仪征市坤翎铝业有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过仪征市坤翎铝业有限公司授权不得商用。
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