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静电吸盘、衬底处理装置以及制造半导体器件的方法制造方法及图纸
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下载静电吸盘、衬底处理装置以及制造半导体器件的方法的技术资料
文档序号:20114101
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一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括:吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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