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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一基底；2）于基底的表面形成具有预设深度的凹槽；3）于凹槽内形成介质层，介质层填满凹槽，且介质层裸露的表面与基底形成有所述凹槽的表面相平齐。本发明通过先在基底的...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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