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一种装置，包括晶体管器件，所述晶体管器件包括主体，所述主体包括在源极区和漏极区之间的沟道区；以及在沟道区中的主体上的栅极叠层，其中，主体的源极区和漏极区中的至少一个包括相对侧壁之间的接触表面，并且接触表面包括轮廓，使得接触表面的高度尺寸在侧...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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