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本发明提供一种薄膜晶体管，所述晶体管包括：衬底；有源区，位于所述衬底上方；栅极介质层，位于所述有源区上方；栅极金属，位于所述栅极介质层上方；源漏区，位于所述沟道区两侧的有源区中；其中，所述栅极介质层包括位于所述有源区上方的氧化硅层和位于所述...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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