温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明功率器件技术领域，尤其涉及一种带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层和源极金属。该器件采用侧墙栅结构，侧墙栅位于沟槽氧化层...
该专利属于无锡麟力科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡麟力科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。