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基于二硒化钨的柔性离子传感器，属于MEMS技术领域。其特征在于，所述传感器阵列采用二硒化钨作为敏感材料；传感器结构从上到下依次为离子载体、氮化硼层、二硒化钨层、柔性基底。二硒化钨层两端与金属电极相连；离子载体的厚度为20‑200微米；氮化硼...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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