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本发明提供一种介质超结MOS型器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在传统横向MOS型器件的漂移区中引入深介质沟槽、多晶硅槽和缓冲层。深介质沟槽的引入使得器件形成U型导电通道，在同样器件长度下情况下有效增加了漂移区的长度；...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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