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本发明公开具有增透钝化层的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，由N×N个发光单元组成，每个发光单元的阳极单独引出，所有发光单元共阴极；发光单元的有源区具有较深的纳米孔，纳米孔的深度超过量子阱层；GaN材料表面的介质薄膜...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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