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本发明公开了一种二比特分栅SONOS器件制造工艺方法，在选择管栅上半部分两侧形成第一氮化硅侧墙，以第一氮化硅侧墙和选择管多晶硅栅顶部的氧化层为屏蔽层，同时逻辑区的以光刻胶作为屏蔽层，干法刻蚀第一多晶硅层，同时形成了存储管SONOS的多晶硅栅...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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