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本发明公开了一种集成电路静电防护的二极管触发可控硅，包括第一衬底，第一衬底上设置有依次连接的第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区接入电学阳极，第一P阱上设置有第二P+注入区和第二N+注...
该专利属于浙江大学昆山创新中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学昆山创新中心授权不得商用。

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