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本发明公开了一种基于写场套刻精确制作微电极的方法，可以为宽度在1微米以下的单根纳米线上制作间距几十至几百纳米的霍尔电极提供便利；通过以高倍扫描照片为依据绘制电极图，提高电极图形的精确定位；利用写场套刻，采用不同的参数曝光，保证图形精度：用小...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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