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本发明公开了一种集成电路相移掩模制造方法，包括如下步骤：曝光、烘烤、显影、铬蚀刻、去胶、铬条宽量测、评估计算加蚀刻时间、金属层保护工艺、加蚀刻、去胶、相移层蚀刻、涂胶、曝光、显影、蚀刻、去胶、清洗、图形检测、贴膜、颗粒检测、包装出货。本发明...
该专利属于无锡中微掩模电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中微掩模电子有限公司授权不得商用。

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