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本发明用于提高等离子体处理的膜形成的面内均匀性。一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:电极板,设置于反应容器内;对置电极,在所述反应容器内与所述电极板对置而平行地配置;传输路径,从所述电极板的与所述对置电极不对置的非对置侧连接,从所述反应...该专利属于核心技术株式会社;株式会社ASKAGI所有,仅供学习研究参考,未经过核心技术株式会社;株式会社ASKAGI授权不得商用。
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本发明用于提高等离子体处理的膜形成的面内均匀性。一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:电极板,设置于反应容器内;对置电极,在所述反应容器内与所述电极板对置而平行地配置;传输路径,从所述电极板的与所述对置电极不对置的非对置侧连接,从所述反应...