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描述了切割半导体晶片的蚀刻掩模和方法。在示例中，用于晶片切单处理的蚀刻掩模包含基于固态成分和水的水溶性基质。蚀刻掩模还包含分散遍布水溶性基质的多个颗粒。所述多个颗粒具有大约在5纳米～100纳米的范围内的平均直径。所述固态成分的重量％对于所述...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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