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本发明公开了一种百草枯分子印迹传感器的制备方法，特征在于，首先采用氯金酸和氧化碳纳米管对玻碳电极进行修饰制得纳米金/氧化碳纳米管修饰液电极；第二步，在反应器中，加入乙醇：72~80%，N‑烯丙基‑2‑氨甲基吡咯烷：8~12%，丙烯酰胺：4~...
该专利属于济南大学所有，仅供学习研究参考，未经过济南大学授权不得商用。

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