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一种纳米多孔铜‑硅负极片及其制备方法，该纳米多孔铜‑硅负极片包括：集流体基体，所述集流体基体上具有若干纳米微孔，所述纳米微孔内沉积有硅。制备时，将铜合金箔进行预处理，去除铜合金箔中的非铜成分，得到具有若干纳米微孔的纳米多孔铜集流体；将纳米微...
该专利属于珠海光宇电池有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海光宇电池有限公司授权不得商用。

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