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一种羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极及其制备方法技术
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文档序号:20009499
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本发明公开了一种制备羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极的方法,该方法包括:将氢氧化镍置于0.1~0.5mol/L的氯化钴溶液中,30~40℃搅拌下缓慢滴加0.5~1mol/L的氢氧化钾溶液,沉淀完全后过滤得到的固体转移到5~7mol/L的氢氧化...
该专利属于周霞所有,仅供学习研究参考,未经过周霞授权不得商用。
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