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一种多层量子点薄膜的制备方法及光电器件技术
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文档序号:20009265
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本发明公开一种多层量子点薄膜的制备方法及光电器件,其中,方法包括步骤:预先采用量子点溶液制备成第一层量子点薄膜;将第一层量子点薄膜放入HHIC反应器中并通入H2,H2电离后形成H等离子,通过H等离子使第一层量子点薄膜中的量子点交联;在第一层...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。
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