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本发明提出一种提高LED生产效率的复合缓冲层外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、复合缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。本发明的外延结构在蓝宝石衬底...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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