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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。在本申请实施例中，在制备AlN厚膜时，先在衬底表面制作形成AlN成核层和表面调制AlN外延层，制备形成的表面调制AlN外延层能够促进位错弯曲湮没，降低外延结构的位错密度，可以提高外...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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