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本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法,其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层,非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层,n型Al0.45Ga0.55N层,倍增区非故意掺杂AlN层,p型Al0.45Ga0.55N...该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法,其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层,非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层,n型Al0.45Ga0.55N层,倍增区非故意掺杂AlN层,p型Al0.45Ga0.55N...