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本发明公开一种高压元件，包含有一半导体基底、一离子阱、一萧基二极管，设于所述离子阱中、一绝缘结构，设于所述离子阱中，且环绕所述萧基二极管、以及一辅助栅极，环绕所述萧基二极管。所述辅助栅极仅设于所述绝缘结构上方，而不会直接接触到所述离子阱。...
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