The invention discloses a high-voltage element, which comprises a semiconductor substrate, an ion trap and a Schottky diode, which are arranged in the ion trap, an insulating structure, and in the ion trap, and surrounds the Schottky diode and an auxiliary gate, and surrounds the Schottky diode. The auxiliary gate is only located above the insulating structure and does not directly contact the ion trap.
【技术实现步骤摘要】
高压元件
本专利技术涉及一种半导体元件
，特别是涉及一种改良的半导体高压元件，能提升高压元件的击穿电压特性。
技术介绍
已知，萧基二极管常用于如电源电路(powercircuit)等需要快速切换的电子电路中。由于萧基二极管具有较高电流密度，故十分适合电压箝制(voltageclamping)及防止晶体管饱和等应用。然而，萧基二极管的缺点在于其低击穿电压(BVD)特性。因此，如何在不影响元件的顺向电流(forwardcurrent)及元件尺寸(devicepitch)的前提下，改善并提升萧基二极管的击穿电压特性，已成为该
的主要研究课题。
技术实现思路
本专利技术主要目的在于提供一种改良的高压元件，具有辅助栅极，电连接至高压元件的萧基二极管，故能提升高压元件的击穿电压特性。本专利技术一实施例披露一种高压元件，包含有一半导体基底，具有一第一导电型、一第一离子阱，具有一第二导电型、一萧基二极管，设于所述第一离子阱中、一绝缘结构，设于所述第一离子阱中，且环绕所述萧基二极管、以及一辅助栅极，环绕所述萧基二极管。所述辅助栅极仅设于所述绝缘结构上方，而不会直接接触到所述...
【技术保护点】
1.一种高压元件，包含有:半导体基底，具有第一导电型；第一离子阱，具有第二导电型；萧基二极管，设于该第一离子阱中；绝缘结构，设于该第一离子阱中，且环绕该萧基二极管；以及辅助栅极，仅设于该绝缘结构上，环绕该萧基二极管，其中该辅助栅极电连接至该萧基二极管。
【技术特征摘要】
1.一种高压元件，包含有:半导体基底，具有第一导电型；第一离子阱，具有第二导电型；萧基二极管，设于该第一离子阱中；绝缘结构，设于该第一离子阱中，且环绕该萧基二极管；以及辅助栅极，仅设于该绝缘结构上，环绕该萧基二极管，其中该辅助栅极电连接至该萧基二极管。2.如权利要求1所述的高压元件，其中该萧基二极管包含硅化金属层，直接接触该第一离子阱。3.如权利要求1所述的高压元件，其中另包含第二离子阱，具有该第一导电型，位于该第一离子阱中，其中该第二离子阱设于该绝缘结构的一内侧，环绕该萧基二极管，并与该绝缘结构的一内侧部分重叠。4.如权利要求3所述的高压元件，其中另包含硅化金属阻障层，位于该第二离子阱上，环绕该萧基二极管，并延伸至该绝缘结构的该内侧部分的上方。5.如权利要求4所述的高压元件，其中另包含第一重掺杂区，具有该第一导电型，位于该萧基二极管与该绝缘结构之间，且该第一重掺杂区环绕该萧基二极管。6.如权利要求1所述的高压元件，其中另包含一阴极，位于该第一离子阱中，且该阴极设于该绝缘结构的一外侧，环绕该绝缘结构的一外侧部分。7.如权利要求6所述的高压元件，其中该绝缘结构的该外侧部分的厚度小于该绝缘结构的该内侧部分的厚度。8.如权利要求6所述的高压元件，其中该虚设栅极仅接触该绝缘结构的该外侧部分。9.如权利要求6所述的高压元件，其中该辅助栅极包含第一部分，位于该绝缘结构的该外侧部分的一表面上，以及第二部...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧世楹，张凯焜，杨庆忠，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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