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本发明公开了一种浮栅型分栅闪存，单元结构包括：第一至第三栅极结构、第一和二源漏区，第一和第三栅极结构对称的设置在第二栅极结构的两侧；第一和三栅极结构作为存储位，多晶硅控制栅宽度通过第一内侧墙自对准定义，多晶硅浮栅宽度通过第一内侧墙和位于第一...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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