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本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括一有源层及设置在所述有源层上方的一栅极，所述有源层包括一主沟道区及一副沟道区，所述副沟道区围绕所述主沟道区设置，所述栅极与所述主沟道区对应设置，所述副沟道区的载流子的浓度大于所述主沟道...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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