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本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括：一基板；一有源层设置在所述基板上，所述有源层包括沟道区、设置在所述沟道区两侧的一导体化区；一第一栅极设置在所述有源层上方，且所述第一栅极在所述基板上的正投影与所述沟道区在所述基板上的正投...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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