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本发明公开了一种高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺及应用，该工艺包含：步骤1，将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，抽真空；步骤2，在20~40℃下，沉积生长Al2O3；步骤3，将步骤2所得器件放入磁控溅射沉积腔中，抽真空；步骤4，在20~40℃...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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