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本发明公开了一种高压LDMOS器件制作工艺方法，包括如下步骤：步骤1、在P型衬底的上端部选择性注入形成NBL层，在P型衬底上端生长形成P型外延层；步骤2、涂敷光刻胶，在形成DNW连接到NBL隔离结构中，通过光刻将DNW注入区完全打开；在利用...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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