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本发明提供了一种反向阻断型场截止绝缘栅双极型晶体管（Reverse Blocking Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor，RB FS‑IGBT）器件，其漂移区顶部有载流子存储区和连接栅极...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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