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本发明公开了一种沟槽型双层栅MOSFET，包括：第一和第二沟槽，第一沟槽中形成有栅极结构，包括源多晶硅和多晶硅栅，底部氧化层、多晶硅间氧化层和栅氧化层。第二沟槽中形成有源引出结构，包括相同工艺的底部氧化层、多晶硅间氧化层和栅氧化层，第二沟槽...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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