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本发明公开了一种结型场效应管及其制备方法，该方法包括：衬底、衬底上自下而上排布的n型缓冲层、n+型SiC通道层，且n+型SiC通道层表面的两端分别设置有P型源极接触层，且两端的P型源极接触层之间设置有n型再生长沟道层，该n型再生长沟道层的两...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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