一种结型场效应管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种结型场效应管及其制备方法，该方法包括：衬底、衬底上自下而上排布的n型缓冲层、n+型SiC通道层，且n+型SiC通道层表面的两端分别设置有P型源极接触层，且两端的P型源极接触层之间设置有n型再生长沟道层，该n型再生长沟道层的两端部分覆盖在相邻的P型源极接触层上，该P型源极接触层上设置有源极接触电极，n型再生长沟道层上设置有栅极欧姆接触电极，衬底的底面设置有漏级电极。相对于现有技术，在结型场效应管中使用SiC，使得结型场效应管具备导通电阻小、开关损耗小、击穿电压大、且高温稳定性好等优点。

A Nodal Field Effect Transistor and Its Preparation Method

The invention discloses a junction field effect transistor and a preparation method thereof. The method comprises: a bottom-up n-type buffer layer on the substrate, an n+type SiC channel layer, and a P-type source contact layer is arranged at both ends of the n+type SiC channel layer surface, and an n-type regenerative long channel layer is arranged between the P-type source contact layers at both ends. The two ends of the n-type regenerative long channel layer are covered in two parts. On the adjacent P-type source contact layer, the P-type source contact layer is provided with an active contact electrode, the n-type regenerative long channel layer with a gate ohmic contact electrode, and the bottom of the substrate with a drain electrode. Compared with the existing technology, the use of SiC in the junction FETs makes the junction FETs have the advantages of low on-resistance, low switching loss, high breakdown voltage and good high temperature stability.

【技术实现步骤摘要】
一种结型场效应管及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种结型场效应管及其制备方法。
技术介绍
在电力电子行业的发展过程中，半导体技术起到了决定性作用，半导体场效应晶体管最近一段时间以来受到国内外的高度重视和深入研究。然而，目前常用的硅金属氧化物半导体场效应管存在导通电阻大，开关损耗大，击穿电压小，高温稳定性差等问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种结型场效应管及其制备方法，旨在解决现有技术中半导体场效应管存在导通电阻大、开关损耗大、击穿电压小，高温稳定性差等问题。为实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种结型场效应管，包括：衬底，衬底上自下而上排布的n型缓冲层、n+型SiC通道层，且所述n+型SiC通道层表面的两端分别设置有P型源极接触层，且两端的P型源极接触层之间设置有n型再生长沟道层，所述n型再生长沟道层的两端部分覆盖在相邻的P型源极接触层上；所述P型源极接触层上设置有源极接触电极，所述n型再生长沟道层上设置有栅极欧姆接触电极，所述衬底的底面设置有漏极电极。优选地，所述n型缓冲层为n型SiC缓冲层，或者为n型AlN缓冲层，或者为n型GaN缓冲层。优选地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结型场效应管，其特征在于，包括：衬底，衬底上自下而上排布的n型缓冲层、n+型SiC通道层，且所述n+型SiC通道层表面的两端分别设置有P型源极接触层，且两端的P型源极接触层之间设置有n型再生长沟道层，所述n型再生长沟道层的两端部分覆盖在相邻的P型源极接触层上；所述P型源极接触层上设置有源极接触电极，所述n型再生长沟道层上设置有栅极欧姆接触电极，所述衬底的底面设置有漏极电极。

【技术特征摘要】
1.一种结型场效应管，其特征在于，包括：衬底，衬底上自下而上排布的n型缓冲层、n+型SiC通道层，且所述n+型SiC通道层表面的两端分别设置有P型源极接触层，且两端的P型源极接触层之间设置有n型再生长沟道层，所述n型再生长沟道层的两端部分覆盖在相邻的P型源极接触层上；所述P型源极接触层上设置有源极接触电极，所述n型再生长沟道层上设置有栅极欧姆接触电极，所述衬底的底面设置有漏极电极。2.根据权利要求1所述的结型场效应管，其特征在于，所述n型缓冲层为n型SiC缓冲层，或者为n型AlN缓冲层，或者为n型GaN缓冲层。3.根据权利要求1所述的结型场效应管，其特征在于，所述P型源极接触层为P型SiC源极接触层，或者为P型AlN源极接触层，或者为P型GaN源极接触层。4.根据权利要求1所述的结型场效应管，其特征在于，所述n型再生长沟道层为采用同质外延生长的n型SiC再生长沟道层，或者为采用异质外延生长的n型GaN再生长沟道层。5.根据权利要求1所述的结型场效应管，其特征在于，所述n型缓冲层、n+型SiC通道层、P型源极接触层及n型再生长沟道层的厚度依次为100nm-200nm、300～700nm、400nm及550nm，且载流子浓度依次为2x1017cm-3、1x1018cm-3～1x1019cm-3、2x1017cm-3及3x1018cm-3，其中，n型缓冲层的厚度优选为150nm、n+型SiC通道层的厚度优选为500nm，n+型SiC通道层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘新科，王佳乐，胡聪，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东,44