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本发明公开了一种超结器件，设置有环绕在电荷流动区周侧的保护环氧化膜，使JFET区域和源区都能实现全面注入，过渡区中的第二接触孔的高宽比大于等于电荷流动区中的第一接触孔的高宽比，采用钨塞工艺填充同时实现对具有不同高宽比的第一和二接触孔的可靠填...
该专利属于深圳尚阳通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳尚阳通科技有限公司授权不得商用。

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