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本发明揭示了一种适用于功率器件的结终端及其制备方法，所述结终端包括半导体基底、第一电极、半导体区域、第二电极。第一电极形成于半导体基底的下端面；半导体区域形成于半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，半导体区域包括有源区域、第一终端区域、第...
该专利属于上海卓弘微系统科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海卓弘微系统科技有限公司授权不得商用。

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