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本公开提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一导电类型并包括第一表面、与第一表面相反的第二表面以及邻近第一表面的阱区。第一竖直传输栅极和第二竖直传输栅极彼此间隔开并在半导体衬底的厚度方向上从第一表面延伸以穿过阱区...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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