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本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：半导体衬底；阵列结构，位于半导体衬底上，阵列结构包括位于半导体衬底上方的栅叠层结构、以及贯穿栅叠层结构的多个导电通道；以及接触层，包括沉积形成的金属硅化物，位于半导体衬底中，其中...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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